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熱化學氣相沉積-熱CVD技術
化學氣相沉積(CVD)技術是用來制備高純、高性能固體薄膜的主要技術。在典型的CVD工藝過程中,把一種或多種蒸汽源原子或分子引入腔室中,在外部能量作用下發(fā)生化學反應并在襯底表面形成需要的薄膜。由于CVD技術具有成膜范圍廣、重現(xiàn)性好等優(yōu)點,被廣泛用于多種不同形態(tài)的成膜。北方華創(chuàng)微電子憑借十余年的微電子領域工藝設備開發(fā)經(jīng)驗,先后完成了PECVD、APCVD、LPCVD、ALD等設備的開發(fā),致力于為集成電路、半導體照明、微機電系統(tǒng)、功率半導體、化合物半導體、新能源光伏等領域提供各種類型的CVD設備,滿足客戶多種制造工藝需求。
熱CVD設備型號:HCVD400-40 / 工作溫度:800℃
套裝內(nèi)容:管式爐、控制器、石英爐芯管、法蘭、支架、龍門架
* 討論了龍門架的形狀和尺寸、燃氣類型、流量計、燃氣管道、閥門部件。
主要規(guī)格 | |
加熱部分 | 爐體外形:260×400L/爐內(nèi)尺寸:φ80×350L 加熱器容量:1480W 常溫:1050℃ |
溫度控制單元 | 觸摸面板式程序溫度控制器 程序:10 模式/9 步,電源 100V15A 型號:HK10P-115K,電源 100V/15A * ELB,過熱防止,冷卻風扇,帶 ON/OFF 開關 |
氣氛 | 芯管:透明石英管(GE214)Φ36×φ40×700L *本裝置芯管內(nèi)徑為φ36mm,購買前請查看樣品尺寸。 法蘭:φ40用火芯管連接法蘭(材質(zhì):主體/SUS304、O型圈/Biton) 氣體導入管連接直徑:1/4英寸(Φ6.35)咬合 |