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Si 晶片的內(nèi)部檢查用近紅外鹵素光源介紹

發(fā)布時間：2022-05-27　點擊量：676

Si 晶片的內(nèi)部檢查用近紅外鹵素光源介紹

近紅外鹵素光源

SIS-150 (-NIR / -AIR)
近 紅外線照射裝置

在近紅外線區(qū)域具有峰值的光纖光源裝置。
通過使用專用光學(xué)系統(tǒng)和對近紅外區(qū)域具有靈敏度的相機(jī)，它
非常適合非破壞性檢查，例如 Si 晶片的內(nèi)部檢查和背面圖案的觀察。

專用選件
* 可加裝波長選擇帶通濾波器
* 可加裝機(jī)械快門 * 可加裝
256級數(shù)字調(diào)光板
　* 模數(shù)調(diào)光板（控制電壓（0-5V））
　* 并聯(lián)調(diào)光板（并聯(lián)8bit數(shù)字信號))
　* 串口調(diào)光板（RS232C串口8bit數(shù)字信號）
模型SIS-150-NIRSIS-150-AIR
額定輸入電壓AC100-240VAC100-240V
額定輸入頻率50 / 60Hz50 / 60Hz
照明方式直流點燈方式直流點燈方式
光強(qiáng)調(diào)節(jié)可變輸出電壓 可變
電壓范圍：DC2V 至 15V
可變光強(qiáng)度范圍：0.1% 至 100%		可變輸出電壓 可變
電壓范圍：DC2V 至 15V
可變光強(qiáng)度范圍：0.1% 至 100%
保護(hù)功能過流保護(hù)電路（重新上電恢復(fù)）
過熱保護(hù)電路（自動恢復(fù)）		過流保護(hù)電路（重新上電恢復(fù)）
過熱保護(hù)電路（自動恢復(fù)）
冷卻方式強(qiáng)制風(fēng)扇冷卻強(qiáng)制風(fēng)扇冷卻
工作溫度/濕度0℃-40℃/20%-80%RH（但無冷凝）0℃-40℃/20%-80%RH（但無冷凝）
功能燈斷信號輸出：集電極/發(fā)射極開路
模擬信號電壓調(diào)光：DC0-5V輸入
遠(yuǎn)程燈ON/OFF：通過施加DC5V關(guān)閉		燈斷信號輸出：集電極/發(fā)射極開路
模擬信號電壓調(diào)光：DC0-5V輸入
遠(yuǎn)程燈ON/OFF：通過施加DC5V關(guān)閉
外形尺寸W124 x H165 x D224 mm（尺寸不包括突出部分）W124 x H165 x D224 mm（尺寸不包括突出部分）
重量約2.7公斤約2.7公斤
照射波長400-1100nm400-1700nm
峰值波長800nm1000nm
光導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格專用耐熱光導(dǎo)